名古屋大学研制新型低阻触点 助力氮化镓半导体升级
发布时间：2026-08-31 16:16:20来源：
据外媒报道，由名古屋大学材料与系统可持续发展研究所的王海涛和王佳领导的研究团队开发了一种降低p型GaN接触电阻的新方法。
这是目前报道的薄型p型氮化镓接触电阻率最低的器件之一。p-GaN接触的挑战镁掺杂p型GaN由名古屋大学的IsamuAkasaki和HiroshiAmano开发，其蓝色LED的研究成果获得了2014年诺贝尔物理学奖。研究人员对这层薄层进行了一种称为“软退火”的热处理。在此过程中，超薄镁层迅速被消耗，因为镁会扩散到p型GaN的表面区域。因此，它有望加速高效半导体的商业化进程。“我们目前正在将这种方法应用于不同类型的器件，例如电动汽车中的LED和晶体管，”HaitaoWang说道。
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